1.WD단계 (Working Die, 동작샘플) - 특정 굵기(30나노, 20나노)의 회로선폭 기술을 적용해 반도체가 실제 구동되는지의 여부를 판단 - 적용한 기술이 실제 반도체로서의 기능을 할 수 있는지를 측정하는 기초 개발제품 - ES단계로 넘어가는데 약 1년의 소요시간 - 반도체의 기본 구성요소 중 하나인 캐패시터가 제대로 전하를 저장해 0과 1을 인식하는지 - 트랜지스터가 제대로 작동하는지 점검 2.ES단계 (Engineer Sample) - WD단계 이후 이를 작게 만들고 패키징까지해서 실제 제조과정에서 문제가 없는지를 점검해 완성 - 최근 들어 D램 제조업체들은 이 단계에서 제품을 개발했다고 선언하고 있음 * cf) 팹리스 업체의 경우 통상 ES#1.0, ES#2.0의 2단계를 거쳐 설계 개발..