반도체 개발과정 3단계

1.WD단계 (Working Die, 동작샘플)

   - 특정 굵기(30나노, 20나노)의 회로선폭 기술을 적용해 반도체가 실제 구동되는지의 여부를 판단

   - 적용한 기술이 실제 반도체로서의 기능을 할 수 있는지를 측정하는 기초 개발제품

   - ES단계로 넘어가는데 약 1년의 소요시간

   - 반도체의 기본 구성요소 중 하나인 캐패시터가 제대로 전하를 저장해 0과 1을 인식하는지

   - 트랜지스터가 제대로 작동하는지 점검

2.ES단계 (Engineer Sample)

   - WD단계 이후 이를 작게 만들고 패키징까지해서 실제 제조과정에서 문제가 없는지를 점검해 완성

   - 최근 들어 D램 제조업체들은 이 단계에서 제품을 개발했다고 선언하고 있음

* cf) 팹리스 업체의 경우 통상 ES#1.0, ES#2.0의 2단계를 거쳐 설계 개발을 진행하고 있다. 

3.CS단계 (Customer Sample, 상용제품)

   - 1년여의 과정을 거쳐 ES 제품이 나오면 이 제품들을 고객사들에게 보내 고객사들의 제품에 제대로 들어 맞는지를 점검한 후 고객사들의 요구사항을 수용해서 이를 반영한 것

   - 이 CS제품에 대해서 고객의 인증(퀄)을 받으면 대량 양산을 통해 제품을 납품하게 된다.

   - ES제품을 CS제품으로 전환하는 데는 3개월 내외가 소요됨

 

 

자동차 개발을 예로 들면 차량 설계도를 기반으로 연구소에서 엔진 테스트용 샘플차 1대를 만들어 구동이 가능한지를 보고, 이어 실제 주행과정에서 문제가 없는지를 점검하는 주행용차 샘플을 10~100대 정도를 만들어 시험한 후 이를 통과하면 양산차를 만드는 것과 같은 과정으로 이해하면 된다.